Инвентаризация:3269

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerWDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 6.1A (Ta), 21A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 38mOhm @ 5A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3.1W (Ta), 36W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 26µA
  • Пакет устройств поставщика 8-WDFN (3.3x3.3)
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 8.6 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 520 pF @ 50 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET, U8

Инвентаризация: 4221

100V MVSOA IN U8FL PACKAGE

Инвентаризация: 1480

MOSFET N-CH 100V 10.5A/54A 5DFN

Инвентаризация: 7400

Top