Технические детали

• Пакет/кейс ISOPLUSi5-PAK™
• Тип монтажа Through Hole
• Тип диода Single Phase
• Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
• Технологии Silicon Carbide Schottky
• Пакет устройств поставщика ISOPLUS i4-PAC™
• Напряжение — пиковое обратное (макс.) 600 V
• Ток – средний выпрямленный (Io) 11 A
• Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If 1.8 V @ 6 A
• Ток – обратная утечка @ Vr 200 µA @ 600 V