Технические детали

• Пакет/кейс 3-WDFN Exposed Pad
• Тип монтажа Surface Mount
• Тип транзистора NPN
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 150mV @ 400mA, 4A
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 100nA (ICBO)
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 200 @ 2A, 2V
• Частота – переход 150MHz
• Пакет устройств поставщика 3-WDFN (2x2)
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 5 A
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 40 V
• Мощность - Макс. 875 mW