Инвентаризация:12046

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 25A
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 55mOhm @ 20A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 70W (Tj)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика DFN5060
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 40 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2200 pF @ 50 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8

Инвентаризация: 2969

P-CHANNEL MOSFET, DFN5060

Инвентаризация: 10475

PBHV8215Z-Q/SOT223/SC-73

Инвентаризация: 768

MOSFET P-CH 100V 25A LPTS

Инвентаризация: 2680

MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

Инвентаризация: 219574

MOSFET P-CH 80V 50A TO252AA

Инвентаризация: 13679

MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8

Инвентаризация: 46297

Top