Инвентаризация:16135

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 175A
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 2.25mOhm @ 20A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 140W
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика DFN5060
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 50 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5250 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON

Инвентаризация: 16915

N-CHANNEL MOSFET, DFN5060

Инвентаризация: 4942

MOSFET N-CH 60V 5DFN

Инвентаризация: 4985

Top