- Модель продукта 2SB601-AZ
- Бренд Renesas
- RoHS No
- Описание 2SB601 - PNP SILICON EPITAXIAL T
- Классификация Одиночные биполярные транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:5953
Технические детали
- Пакет/кейс TO-220-3
- Тип монтажа Through Hole
- Тип транзистора PNP - Darlington
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 1.5V @ 3mA, 3A
- Ток-отсечка коллектора (макс.) 10µA
- Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 2000 @ 3A, 2V
- Пакет устройств поставщика TO-220AB
- Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 5 A
- Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 100 V
- Мощность - Макс. 1.5 W