Технические детали

• Пакет/кейс 3-SSIP
• Тип монтажа Through Hole
• Тип транзистора NPN - Darlington
• Рабочая Температура 150°C (TJ)
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 1.5V @ 1mA, 1A
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 1mA
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 2000 @ 1A, 2V
• Частота – переход 60MHz
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 1.5 A
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 80 V
• Мощность - Макс. 1 W