- Модель продукта 2SB1261(1)-AZ
- Бренд Renesas
- RoHS No
- Описание 2SB1261 - PNP SILICON EPITAXIAL
- Классификация Одиночные биполярные транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:7707
Технические детали
- Пакет/кейс TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип транзистора PNP
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 300mV @ 150mA, 1.5A
- Ток-отсечка коллектора (макс.) 10µA (ICBO)
- Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 100 @ 600mA, 2V
- Частота – переход 50MHz
- Пакет устройств поставщика TO-252 (MP-3Z)
- Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 3 A
- Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 60 V
- Мощность - Макс. 2 W