- Модель продукта BFU768F,115
- Бренд NXP Semiconductors
- RoHS No
- Описание BFU768F - NPN WIDEBAND SILICON G
- Классификация Биполярные радиочастотные транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2495650
Технические детали
- Пакет/кейс SOT-343F
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип транзистора NPN
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Прирост 13.1dB
- Мощность - Макс. 220mW
- Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 70mA
- Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 2.8V
- Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 155 @ 10mA, 2V
- Частота – переход 110GHz
- Коэффициент шума (дБ, тип @ f) 1.1dB ~ 1.2dB @ 5GHz ~ 5.9GHz
- Пакет устройств поставщика 4-DFP