Технические детали

• Пакет/кейс 3-UFDFN
• Тип монтажа Surface Mount
• Тип транзистора NPN - Pre-Biased
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 70mA
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 1µA
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 100 @ 50mA, 5V
• Пакет устройств поставщика X1-DFN1006-3
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100 mA
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50 V
• Мощность - Макс. 250 mW
• Частота – переход 250 MHz
• Резистор — база (R1) 10 kOhms
• Резистор — база эмиттера (R2) 10 kOhms