Инвентаризация:7761

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerVDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 8.9A (Ta), 38.8A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 12.8mOhm @ 9A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 1.7W (Ta), 32W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика MLPAK33
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±25V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 43.4 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1400 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 26A/32A 8DFN

Инвентаризация: 40390

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F

Инвентаризация: 72447

PXP013-30QL/SOT8002/MLPAK33

Инвентаризация: 22631

Top