Технические детали

• Пакет/кейс Module
• Тип монтажа Chassis Mount
• Конфигурация 2 N-Channel (Dual) Common Source
• Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
• Технологии Silicon Carbide (SiC)
• Мощность - Макс. 1642W (Tc)
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 1700V (1.7kV)
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 353A (Tc)
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 19800pF @ 1000V
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 180A, 20V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 1068nC @ 20V
• Vgs(th) (Макс) @ Id 3.3V @ 15mA