Технические детали

• Пакет/кейс 8-PowerWDFN
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора P-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2A (Ta), 13A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 120mOhm @ 2.4A, 10V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 900mW (Ta), 41W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 45µA
• Пакет устройств поставщика 8-WDFN (3.3x3.3)
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V, 10V
• ВГС (Макс) ±20V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 9.2 nC @ 10 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 637 pF @ 50 V