Инвентаризация:3467

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerBSFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 42A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 56mOhm @ 16A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 236W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerPAK®10 x 12
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±30V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 81 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3504 pF @ 100 V

Сопутствующие товары


SILICON CARBIDE MOSFET

Инвентаризация: 1965

MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3

Инвентаризация: 1321

MOSFET N-CH 600V 75A 8HSOF

Инвентаризация: 2240

E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1

Инвентаризация: 1806

E SERIES POWER MOSFET WITH FAST

Инвентаризация: 2012

GANFET N-CH 650V 25A PQFN88

Инвентаризация: 12335

Top