Технические детали

• Пакет/кейс 3-XFDFN
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 260mA (Ta)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 4.2Ohm @ 190mA, 10V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 360mW (Ta), 2.3W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 1.5V @ 250µA
• Пакет устройств поставщика DFN0606-3
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 2.5V, 10V
• ВГС (Макс) ±20V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 0.6 nC @ 10 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 15 pF @ 30 V