- Модель продукта RF4G100BGTCR
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS 1
- Описание NCH 40V 10A, HUML2020L8, POWER M
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:4290
Технические детали
- Пакет/кейс 8-PowerUDFN
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 10A (Ta)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 14.2mOhm @ 10A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 2W (Ta)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 1mA
- Пакет устройств поставщика DFN2020-8S
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 10.6 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 530 pF @ 20 V