Инвентаризация:6533

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 37A (Ta), 288A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.15mOhm @ 50A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3W (Ta), 188W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.3V @ 116µA
  • Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8-17
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 170 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 11000 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 41A/348A TSON-8

Инвентаризация: 2773

Top