Инвентаризация:2409

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 45A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 64mOhm @ 20.1A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 183W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5.7V @ 6mA
  • Пакет устройств поставщика PG-TO263-7-12
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V
  • ВГС (Макс) +23V, -5V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 33 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1118 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO263

Инвентаризация: 1954

SICFET N-CH 650V 238A TO263-7

Инвентаризация: 460

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

Инвентаризация: 0

SILICON CARBIDE MOSFET

Инвентаризация: 494

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

Инвентаризация: 923

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 228

SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Инвентаризация: 120

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

Инвентаризация: 1435

MOSFET N-CH 600V 44A 8HSOF

Инвентаризация: 2000

Top