Инвентаризация:6380

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 60A (Tj)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 7.3mOhm @ 30A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 52W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 19µA
  • Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8-33
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±16V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 22.6 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1655 pF @ 30 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-34

Инвентаризация: 36681

MOSFET_)40V 60V) PG-TSDSON-8

Инвентаризация: 4680

Top