Инвентаризация:16370

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 47A (Tj)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 10.2mOhm @ 20A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 42W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.4V @ 13µA
  • Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8-33
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 7V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 16.3 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1112.1 pF @ 30 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 80V 28A 8TDSON-33

Инвентаризация: 16085

MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8

Инвентаризация: 4784

MOSFET N-CH 100V 30A 8TSDSON-32

Инвентаризация: 9109

IC INVERTER 1CH 1-INP SOT23-5

Инвентаризация: 12189

Top