Инвентаризация:19197

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 60A
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 8.6mOhm @ 20A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 88W (Tj)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.4V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика DFN5060
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 32 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2431 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON

Инвентаризация: 4184

100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE

Инвентаризация: 815

MOSFET N-CH 200V 65A TO263

Инвентаризация: 5169

Top