Технические детали

• Пакет/кейс TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип монтажа Through Hole
• Тип транзистора PNP
• Рабочая Температура 150°C (TJ)
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 100nA (ICBO)
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 6V
• Частота – переход 200MHz
• Пакет устройств поставщика 3-NP
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 200 mA
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50 V
• Мощность - Макс. 500 mW