- Модель продукта FDMS8570S
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS 0
- Описание POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:82500
Технические детали
- Пакет/кейс 8-PowerTDFN
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 24A (Ta), 60A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 24A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 2.5W (Ta), 48W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 1mA
- Пакет устройств поставщика 8-PQFN (5x6)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±12V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 25 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 425 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2825 pF @ 13 V