Технические детали

• Пакет/кейс TO-226-3, TO-92-3 Long Body
• Тип монтажа Through Hole
• Тип транзистора PNP
• Рабочая Температура 150°C (TJ)
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 400mV @ 50mA, 1A
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 1µA (ICBO)
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 200 @ 100mA, 2V
• Частота – переход 420MHz
• Пакет устройств поставщика 3-MP
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 2 A
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50 V
• Мощность - Макс. 1 W