- Модель продукта PBSS5112PAP,115
- Бренд NXP Semiconductors
- RoHS No
- Описание NEXPERIA PBSS5112PAP - SMALL SIG
- Классификация Биполярные транзисторные матрицы
Инвентаризация:36180
Технические детали
- Пакет/кейс 6-UDFN Exposed Pad
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип транзистора 2 PNP
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Мощность - Макс. 510mW
- Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 1A
- Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 120V
- Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 480mV @ 100mA, 1A
- Ток-отсечка коллектора (макс.) 100nA (ICBO)
- Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 190 @ 100mA, 2V
- Частота – переход 100MHz
- Пакет устройств поставщика 6-HUSON (2x2)
- Оценка Automotive
- Квалификация AEC-Q101