- Модель продукта PBSS4160PANPSX
- Бренд NXP Semiconductors
- RoHS No
- Описание NEXPERIA PBSS4160P - 60V, 1A NPN
- Классификация Биполярные транзисторные матрицы
-
PDF
Инвентаризация:28500
Технические детали
- Пакет/кейс 6-UDFN Exposed Pad
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип транзистора 1 NPN, 1 PNP
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Мощность - Макс. 370mW
- Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 1A
- Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 60V
- Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 120mV @ 50mA, 500mA / 340mV @ 100mA, 1A
- Ток-отсечка коллектора (макс.) 100nA (ICBO)
- Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 150 @ 500mA, 2V / 120 @ 500mA, 2V
- Частота – переход 175MHz, 125MHz
- Пакет устройств поставщика DFN2020D-6
- Оценка Automotive
- Квалификация AEC-Q101