- Модель продукта BUK6E4R0-75C,127
- Бренд NXP Semiconductors
- RoHS No
- Описание NEXPERIA BUK6E4R0-75C - 120A, 75
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:21492
Технические детали
- Пакет/кейс TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 120A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 25A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 306W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.8V @ 1mA
- Пакет устройств поставщика I2PAK
- Оценка Automotive
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±16V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 75 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 234 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 15450 pF @ 25 V
- Квалификация AEC-Q101