- Модель продукта SP8M51HZGTB
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS 1
- Описание MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A 8SOP
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:2563
Технические детали
- Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип монтажа Surface Mount
- Конфигурация N and P-Channel
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Мощность - Макс. 2W (Ta)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 100V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3A (Ta), 2.5A (Ta)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 610pF @ 25V, 1550pF @ 25V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 170mOhm @ 3A, 10V, 290mOhm @ 2.5A, 10V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 8.5nC @ 5V, 12.5nC @ 5V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 1mA
- Пакет устройств поставщика 8-SOP