Технические детали

• Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип монтажа Surface Mount
• Конфигурация N and P-Channel
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Мощность - Макс. 1.6W (Ta), 3.1W (Tc)
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 100V
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2.9A (Ta), 4.1A (Tc), 2.4A (Ta), 3.3A (Tc)
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 222pF @ 50V, 525pF @ 50V
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 83mOhm @ 1.5A, 10V, 131mOhm @ 1.5A, 10V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 5nC @ 10V, 8.4nC @ 10V
• Пакет устройств поставщика 8-SOIC