Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 7.7A (Ta), 37A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 16.9mOhm @ 20A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2.1W (Ta), 43W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.3V @ 18µA
  • Пакет устройств поставщика PG-TSDSON-8-26
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 15 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1000 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


BRIDGE RECT 1PHASE 600V 25A GBPC

Инвентаризация: 0

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 25A GBPC

Инвентаризация: 1

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 25A GBPC

Инвентаризация: 57

25A -600V - GBPC - BRIDGE

Инвентаризация: 98

25A, 600V, STANDARD BRIDGE RECTI

Инвентаризация: 287

MOSFET N-CH 100V 16A/97A TDSON

Инвентаризация: 4880

MOSFET N-CH 100V 11A/58A TSDSON

Инвентаризация: 6385

Top