Инвентаризация:2960

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN, 5 Leads
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 15.3A (Ta), 164A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 2.7mOhm @ 22A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 900mW (Ta), 104W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±25V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 112 nC @ 4.5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 7880 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6

Инвентаризация: 17410

MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563

Инвентаризация: 68727

MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Инвентаризация: 8402

MOSFET, POWER -30V P-CHANNEL, SO

Инвентаризация: 2371

N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE

Инвентаризация: 2953

Top