Технические детали

• Пакет/кейс 8-SMD, Flat Lead
• Тип монтажа Surface Mount
• Конфигурация N and P-Channel
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Мощность - Макс. 1.1W
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 20V
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4A, 3.1A
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 510pF @ 10V
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 45mOhm @ 4.4A, 4.5V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 7.9nC @ 4.5V
• Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
• Vgs(th) (Макс) @ Id 1.2V @ 250µA
• Пакет устройств поставщика ChipFET™