- Модель продукта SIDR220EP-T1-RE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS 0
- Описание N-CHANNEL 25 V (D-S) 175C MOSFET
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:7488
Технические детали
- Пакет/кейс PowerPAK® SO-8
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 92.8A (Ta), 415A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 0.58mOhm @ 20A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 6.25W (Ta), 415W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.1V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика PowerPAK® SO-8DC
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) +16V, -12V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 25 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 200 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 10850 pF @ 10 V