- Модель продукта A3G26D055N-2110
- Бренд NXP Semiconductors
- RoHS 1
- Описание RF MOSFET GAN 48V 6DFN
- Классификация РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1503
Технические детали
- Пакет/кейс 6-LDFN Exposed Pad
- Тип монтажа Surface Mount
- Частота 100MHz ~ 2.69GHz
- Выходная мощность 8W
- Прирост 13.9dB
- Технологии GaN
- Пакет устройств поставщика 6-PDFN (7x6.5)
- Напряжение - номинальное 125 V
- Напряжение - Тест 48 V
- Текущий — Тест 40 mA
Сопутствующие товары
RF MOSFET GAN 48V 6DFN
Инвентаризация: 3
RF MOSFET GAN 48V 6DFN
Инвентаризация: 2198
