Инвентаризация:7760

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 19A (Ta), 112A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 20A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2.5W (Ta), 83W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.3V @ 36µA
  • Пакет устройств поставщика PG-TSDSON-8-26
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 53 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3500 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 30V 3.6A 6PQFN

Инвентаризация: 139477

DIODE ZENER 10V 500MW SOD123

Инвентаризация: 28271

MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8

Инвентаризация: 35912

Top