- Модель продукта BSS169IXTSA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:12652
Технические детали
- Пакет/кейс TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 190mA (Ta)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 2.9Ohm @ 190mA, 10V
- Особенность полевого транзистора Depletion Mode
- Рассеиваемая мощность (макс.) 360mW (Ta)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1.8V @ 50µA
- Пакет устройств поставщика PG-SOT-23-3
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 0V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 2.1 nC @ 7 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 51 pF @ 25 V