- Модель продукта IPTG014N10NM5ATMA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 100V 37A/366A HSOG-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2163
Технические детали
- Пакет/кейс 8-PowerSMD, Gull Wing
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 37A (Ta), 366A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.4mOhm @ 150A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 3.8W (Ta), 375W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3.8V @ 280µA
- Пакет устройств поставщика PG-HSOG-8-1
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 211 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 16000 pF @ 50 V