- Модель продукта SIS590DN-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS 1
- Описание MOSFET N/P-CH 100V 2.7A PPAK1212
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Пакет/кейс PowerPAK® 1212-8 Dual
- Тип монтажа Surface Mount
- Конфигурация N and P-Channel
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Мощность - Макс. 2.5W (Ta), 17.9W (Tc), 2.6W (Ta), 23.1W (Tc)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 100V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2.7A (Ta), 4A (Tc), 2.3A (Ta), 4A (Tc)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 265pF 2 50V, 325pF @ 50V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 167mOhm @ 1.5A, 10V, 251mOhm @ 2.3A, 10V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика PowerPAK® 1212-8 Dual