Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Пакет/кейс PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Конфигурация N and P-Channel
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Мощность - Макс. 2.5W (Ta), 17.9W (Tc), 2.6W (Ta), 23.1W (Tc)
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2.7A (Ta), 4A (Tc), 2.3A (Ta), 4A (Tc)
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 265pF 2 50V, 325pF @ 50V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 167mOhm @ 1.5A, 10V, 251mOhm @ 2.3A, 10V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerPAK® 1212-8 Dual

Сопутствующие товары


MOSFET N/P-CH 100V 3.4A 8SOIC

Инвентаризация: 6082

Top