Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-4
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 106A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 18mOhm @ 58.2A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 446W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.5V @ 2.91mA
  • Пакет устройств поставщика PG-TO247-4-3
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 234 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 11660 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


SIC DISCRETE

Инвентаризация: 47

AUTOMOTIVE_COOLMOS

Инвентаризация: 148

HIGH POWER_NEW

Инвентаризация: 0

HIGH POWER_NEW

Инвентаризация: 231

MOSFET N CH

Инвентаризация: 0

650 V COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3

Инвентаризация: 143

MOSFET N-CH 600V 101A TO247-4-3

Инвентаризация: 205

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1

Инвентаризация: 269

750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 0

Top