Инвентаризация:7090

Технические детали

  • Пакет/кейс 6-UDFN Exposed Pad
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 11A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 10mOhm @ 11A, 4.5V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика DFN2020M-6
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.8V, 4.5V
  • ВГС (Макс) ±12V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 30 nC @ 4.5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1774 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN

Инвентаризация: 269

PMPB07R3VP - 12 V, P-CHANNEL TRE

Инвентаризация: 3672

MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8

Инвентаризация: 50601

Top