Технические детали

• Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип монтажа Surface Mount
• Тип транзистора 2 PNP (Dual)
• Рабочая Температура 150°C (TJ)
• Мощность - Макс. 500mW
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 10mA
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 60V
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 500mV @ 100µA, 1mA
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 200pA (ICBO)
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 200 @ 1mA, 5V
• Частота – переход 200MHz
• Пакет устройств поставщика 8-SOIC