Технические детали

• Пакет/кейс 8-VFDFN Exposed Pad
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 135°C (TJ)
• Тип полевого транзистора P-Channel
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 13pF @ 20V
• Напряжение – пробоя (В(BR)GSS) 40 V
• Текущее потребление (Id) — Макс. 10 mA
• Пакет устройств поставщика 8-DFN (2x2)
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
• Мощность - Макс. 350 mW
• Сопротивление - RDS(Вкл.) 50 Ohms
• Напряжение — отсечка (VGS выключена) @ Id 7.5 V @ 1 µA