- Модель продукта RD3G03BATTL1
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS 1
- Описание PCH -40V -35A POWER MOSFET - RD3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:5899
Технические детали
- Пакет/кейс TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 35A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 19.1mOhm @ 35A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 56W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 1mA
- Пакет устройств поставщика TO-252
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 38 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2100 pF @ 20 V