Инвентаризация:6023

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerVDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Конфигурация 2 N-Channel (Half Bridge)
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Мощность - Макс. 52W (Tc)
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 40V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 60A (Tj)
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1027pF @ 25V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 5mOhm @ 30A, 10V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 17nC @ 10V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 13µA
  • Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8-57
  • Оценка Automotive
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 40V 79A POWERDI50

Инвентаризация: 90

IAUC120N04S6N013ATMA1

Инвентаризация: 14470

MOSFET 2N-CH 40V 45A 8TDSON

Инвентаризация: 19804

IAUC60N04S6L039ATMA1

Инвентаризация: 13786

MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON

Инвентаризация: 29448

MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON

Инвентаризация: 9643

IAUC60N04S6N044ATMA1

Инвентаризация: 14097

Top