- Модель продукта IPDD60R170CFD7XTMA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 600V 19A HDSOP-10
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1537
Технические детали
- Пакет/кейс 10-PowerSOP Module
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 19A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 170mOhm @ 4.9A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 137W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4.5V @ 240µA
- Пакет устройств поставщика PG-HDSOP-10-1
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 23 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1016 pF @ 400 V