- Модель продукта IPBE65R190CFD7AATMA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 650V 14A TO263-7
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 14A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 190mOhm @ 6.4A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 77W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4.5V @ 320µA
- Пакет устройств поставщика PG-TO263-7-11
- Оценка Automotive
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 7 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1291 pF @ 400 V
- Квалификация AEC-Q101