Инвентаризация:4951

Технические детали

  • Пакет/кейс 6-UDFN Exposed Pad
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 11.6A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 9mOhm @ 11.6A, 4.5V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 900mV @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика DFN2020MD-6
  • ВГС (Макс) ±12V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 30 nC @ 4.5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1696 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN

Инвентаризация: 3000

Top