Инвентаризация:21312

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 1.2A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 365mOhm @ 1.2A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика TO-236AB
  • ВГС (Макс) ±25V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 15 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 549 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3

Инвентаризация: 42487

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

Инвентаризация: 114762

MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.22A, 50V

Инвентаризация: 57976

MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB

Инвентаризация: 14174

DIODE ZENER 3V 500MW SOD123

Инвентаризация: 8450

MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB

Инвентаризация: 22995

MOSFET P-CH 100V 1A SOT23

Инвентаризация: 51894

Top