Инвентаризация:1784

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount, Wettable Flank
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 45A (Ta), 236A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 2mOhm @ 90A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 9W (Ta), 255W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 520µA
  • Пакет устройств поставщика 8-TDFNW (8.3x8.4)
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 89 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 6305 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


TRENCH >=100V PG-TDSON-8

Инвентаризация: 10022

MOSFET N-CH 60V 60.5A/464A 8DFNW

Инвентаризация: 1753

SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10

Инвентаризация: 2950

MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW

Инвентаризация: 5112

PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 DUAL

Инвентаризация: 3000

N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET

Инвентаризация: 4058

Top