Технические детали

• Пакет/кейс 3-XFDFN
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора P-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 230mA (Ta)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 5.3Ohm @ 230mA, 10V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 1W (Ta)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 100µA
• Пакет устройств поставщика DFN1010-3W
• Оценка Automotive
• ВГС (Макс) ±20V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 34 pF @ 30 V
• Квалификация AEC-Q101